삼성전자 "새 구조·소재 도입 통해 메모리 난제 극복"아시아투데이 정문경 기자 = 삼성전자가 20일(현지시간) 미국에서 열린 '메모리 테크 데이'에서 새로운 구조와 소재 도입을 통해 초거대 AI 시대에서 직면한 메모리 시장의 난제를 극복해 나가겠다고 강조했다. 이날 삼성전자는 미국 실리콘밸리에 위치한 맥
삼성전자, 초거대 AI 컴퓨팅 탑재 초고성능 D램 'HBM3E' 공개(종합)실리콘밸리서 AI시대 주도 '차세대 메모리 제품' 대거 선보여 SK하이닉스 등과 HBM 시장 치열 경쟁 예고…올해 점유율 접전 예상 10나노 이하 D램 3D 신구조 도입 준비…32Gb DDR5 D램 등도 소개 '칩워' 저자 크리스 밀러 및 인텔, MS
삼성전자, 美서 초거대 AI 주도 '메모리 솔루션' 대거 선보여[AP신문 = 배두열 기자] 삼성전자는 현지 시각으로 20일 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터(McEnery Convention Center)에서 '삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023'을 개최하고, 초거대 AI 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 대거 공개했다.'메모리 역할의 재정의(Memory Reimagined)'라는 주제로 열린 이번 행사는 글로벌 IT 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여 명이 참석한 가운데 삼성전자 메모리사업부 이정배 사장, 미주총괄 짐 엘리엇(Jim
삼성전자, 美서 AI 시대 이끌 '메모리 솔루션' 내놨다아시아투데이 최지현 기자 = 삼성전자가 초거대 AI(인공지능) 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 대거 선보였다. 클라우드·에지 디바이스·차량 등 응용처별 메모리 기술력으로 AI 시대에서 직면한 난제를 극복해 나가겠다는 계획이다. 삼성전자는 20일(
삼성전자 "차세대 11나노급 D램 개발중"…HBM3E '샤인볼트'도 첫선미국 실리콘밸리서 '삼성 메모리 테크 데이 2023' 개최 10나노 이하 D램 신구조 도입, HBM3E D램 등 신기술로 시장 선도 D램 단일 칩 기준 100Gb 이상 용량 확장 계획 삼성전자가 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤
삼성전자 "새 구조·소재 도입 통해 메모리 난제 극복" 아시아투데이 정문경 기자 = 삼성전자가 20일(현지시간) 미국에서 열린 '메모리 테크 데이'에서 새로운 구조와 소재 도입을 통해 초거대 AI 시대에서 직면한 메모리 시장의 난제를 극복해 나가겠다고 강조했다. 이날 삼성전자는 미국 실리콘밸리에 위치한 맥
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삼성전자, 美서 초거대 AI 주도 '메모리 솔루션' 대거 선보여 [AP신문 = 배두열 기자] 삼성전자는 현지 시각으로 20일 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터(McEnery Convention Center)에서 '삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023'을 개최하고, 초거대 AI 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 대거 공개했다.'메모리 역할의 재정의(Memory Reimagined)'라는 주제로 열린 이번 행사는 글로벌 IT 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여 명이 참석한 가운데 삼성전자 메모리사업부 이정배 사장, 미주총괄 짐 엘리엇(Jim
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