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DB하이텍, 차세대 전력반도체 GaN·SiC 개발 박차 아시아투데이 정문경 기자 = 8인치 파운드리 전문기업 DB하이텍이 차세대 전력반도체 GaN(갈륨나이트라이드)·SiC(실리콘카바이드)에 대한 개발에 박차를 가하고 있다. DB하이텍은 최근 GaN·SiC 디바이스 제조에 필요한 핵심장비 도입 등 초기 투자