DB하이텍, 초고전압 전력반도체 공정 기술 업그레이드…사업 본격화

DB하이텍 부천캠퍼스 전경. 사진제공=DB하이텍

8인치 파운드리(반도체 수탁생산) DB하이텍(000990)이 최근 초고전압(UHV) 전력반도체 공정 기술을 업그레이드하며 사업을 본격화한다고 27일 밝혔다.

이번 공정 기술 업그레이드를 통해 DB하이텍은 게이트 드라이버(Gate Driver) IC에서 칩 설계가 용이한 레벨 시프터(Level-Shifter) 절연방식과 고전압 동작에서 안정성이 높은 갈바닉(Galvanic) 절연방식을 동시에 사용할 수 있는 환경을 제공할 수 있게 됐다. 이를 통해 고객들은 공정별 장점을 효율적으로 누릴 수 있다. 공정 활용 역시 기존 가전 분야에서 자동차·태양광 분야까지 확장될 것으로 기대된다.

초고전압 전력반도체 공정은 가전, 자동차, 통신, 산업 등 폭넓은 분야에서 모터를 구동하는 역할을 하는 게이트 드라이버 IC의 설계·제조를 지원한다. 전력반도체 IC 시장의 8%를 차지하고 있는 게이트 드라이버 IC 시장은 2022년부터 2027년까지 연평균 109% 성장할 것으로 전망된다. DB하이텍은 경쟁 우위의 전력반도체 기술을 바탕으로 고부가·고성장의 초고전압 전력반도체 사업을 확대해 경쟁력을 제고한다는 계획이다.

DB하이텍은 지난 5월 업계 최초로 시스템 에어컨 등의 고출력 컴프레서(Compressor)에 적용할 수 있고 넓은 여유 전압으로 설계가 용이한 900V급 레벨 시프터(Level-Shifter)를 제공한 바 있다. DB하이텍은 향후 실리콘 전력반도체에서 구현할 수 있는 전영역대에 대한 공정 기술을 확보하면서 응용 분야별로 최적화된 게이트 드라이버 IC 설계 환경을 제공할 예정이다.