DB하이텍이 초고전압(UHV) 전력반도체 공정 기술을 업그레이드하며 사업을 본격화하고 있다고 27일 밝혔다.
초고전압 전력반도체 공정은 가전, 자동차, 통신, 산업 등 폭넓은 분야에서 모터를 구동하는 역할을 하는 게이트 드라이버(Gate Driver) 칩의 설계·제조를 지원한다. DB하이텍은 게이트 드라이버 칩 시장이 2022~2027년 연평균 109% 성장할 것이라 보고 초고전압 전력반도체 사업을 확대해 경쟁력을 높인다는 전략이다.
DB하이텍은 “공정 기술 업그레이드를 통해 게이트 드라이버 칩에서 레벨 시프터(Level-Shifter) 절연방식과 갈바닉(Galvanic) 절연방식을 동시에 사용할 수 있는 환경을 제공할 수 있게됐다”며 “이를 통해 고객사는 칩 설계가 용이한 레벨 시프터와 고전압 동작에서 안정성이 높은 갈바닉 절연 각각의 장점을 살릴 수 있다”고 설명했다. 또 “공정의 활용도 기존 가전 분야에서 자동차, 태양광 분야로 확장이 가능하다”고 덧붙였다.
DB하이텍은 내년 1월 게이트 드라이버 칩 시장에서 가장 큰 비중(10%)을 차지하는 가전분야에 최적화된 600V급 공정을 제공할 예정이라고 밝혔다. 연내 전동킥보드 및 전기스쿠터용 200V급 공정과 방직기 및 공업용 1200V급 공정까지 순차적으로 확보해 초고전압 전력반도체 경쟁력을 강화할 예정이다.
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